Brazilian Conferences and Brazilian Journals (1995)

  1. “Deposição de Nitreto de Silício por LPCVD”, L. S. Zambom and C. M. Hasenack, Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP, BT/PMT-94/007, 1995.
  2. “Si/SiO2 Electronic Roughness: a consequence on Si/SiO2 Interface Roughness”, M. C. V. Lopes, S. G. dos Santos Filho and V. Baranauskas, 1st Brazilian/ German Workshop on Applied Surface Science, Rio de Janeiro, Abril 1995.
  3. “Electrodeposition of Fe thin films”, L. F. O. Martins, H. R. Paes, C. M. Hasenack, L. S. de Oliveira and A. A, Pasa   , 1st Brazilian/ German Workshop on Applied Surface Science, Rio de Janeiro, Abril 1995.
  4. “Impact of Surface Mobility Degradation on the Effective Channel Lenght and Series Resistance Extraction in Submission Fully Depleted SOI-MOSFETs”, A. S. Nicolett, J. A. Martino, E. Simoen and C. Claeys, Anais do X Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica (Canela, RS, Brasil), p. 547, agosto, 1995.
  5. “The Influence of the Substrate Potential Drop on Fully Depleted SOI-MOSFET Threshold Voltage at 77 K”, M. A. Pavanello and J. A. Martino, Anais do X Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica (Canela, RS, Brasil), p. 537, agosto, 1995.
  6. “New Leakage Drain Current Model for High Temperature SOI-MOSFET”, M. Bellodi and J. A. Martino, Anais do X Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica (Canela, RS, Brasil), p. 557, agosto, 1995.
  7. "Impact of Substrate Effect on the Fully Depleted SOI-MOSFET Subtheshold Slope at 300 K and 77 K”, M. A. Pavanello and J. A. Martino, Anais do X Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica (Canela, RS, Brasil), p.527, agosto, 1995.
  8. “Plan View TEM Investigation of Ion Beam Synthesized FeSi2 in Silicon”, J. T. dos Santos, H. Bender, Resumo submetido ao 3rd Interamerican Congress on Electron Microscopy, Setembro 2-6, Caxambu, 1995.
  9. “Insulator/polysilicon interface: technological, electrical and modeling aspects. Applications to thin film transistors”, N. I. Morimoto, A-C. Salaun, B. Fortin, O. Bonnaud, K. Kis-Sion, F. Le BiHan, Anais do X Congresso Brasileiro de Microeletrônica (Canela, RS), p. 361, Agosto, 1995.
  10. “PECVD Teos Silicon Oxide Deposited in a Home Made Cluster Toll System”, N. I. Morimoto, Jacobus W. Swart, Flavio Yoshihiro, Anais do X Congresso Brasileiro de Microeletrônica, (Canela, RS), p. 431, Agosto,1995.
  11. “A General View of the Gas-Phase Ion Chemistry of Tetraethylorthosilicate (TEOS) and Tetramethylorthosilicate (TMOS)”, M. L. P. da Silva, J. M. Riveros, Anais do X Congresso Brasileiro de Microeletrônica, (Canela, RS), p.567, Agosto,1995.
  12. “ A Cluster Tool System for Silicon Oxide Deposition”, N. I. Morimoto e J. W. Swart, Anais do X Congresso Brasileiro de Microeletrônica (Canela, RS), p. 393, Agosto, 1995.
  13. “The plating mechanisms of cooper onto silicon surfaces in diluted hydrofluoric solutions”,S. G. dos Santos Filho, C. M. Hasenack, Anais do X Congresso Brasileiro de Microeletrônica (Canela, RS), p. 587, Agosto, 1995.
  14. “Development and Caracterization of Si3N4 Plasma Etching Process”, A. B. Dietrich, R. D. Mansano, P. B. Verdonck, Anais do X Congresso Brasileiro de Microeletrônica (Canela, RS), p. 645, Agosto, 1995.
  15. “Dry Etching of Resists for a Three Level Resist Process, Using Statistical Design of Experiments”, R. D. Mansano, P. B. Verdonk, H. S. Maciel, Anais do X Congresso Brasileiro de Microeletrônica (Canela, RS), p. 653, Agosto, 1995.
  16. “Projeto e caracterização de um gerador de Baixas Frequências Aplicado À Corrosão por Plasma”, M. B. Pisani, R. D. Mansano e P. B. Verdonck, XVI CEBRAVIC - Cong. Bras. de Aplic. de Vácuo na Indústria e na Ciência, Brasilia, 25 a 28 de julho de 1995.
  17. “Projeto e caracterização de um gerador de Baixas Frequências Aplicado À Corrosão por Plasma”, M. B. Pisani, R. D. Mansano e P. B. Verdonck, XVI CEBRAVIC - Cong. Bras. de Aplic. de Vácuo na Indústria e na Ciência, Brasilia, 25 a 28 de julho de 1995.
  18. "Caracterização Elétrica de Transistores SOI MOSFET em Altas Temperatura", M. Bellodi e J. A. Martino, II Seminário Brasileiro de Caracterização em Microeletrônica - 07 e 08 de Dezembro / 1995, LAC-UFPR/COPEL, Curitiba / PR
  19. "Anomalia na Tensão de Limiar de Transistores SOI MOSFET Induzida pelo Efeito do Substrato em Baixa Temperatura", M. A. Pavanello e J. A. Martino, II Seminário Brasileiro de Caracterização em Microeletrônica - 07 e 08 de Dezembro / 1995, LAC-UFPR/COPEL, Curitiba / PR
  20. "Análise da Região de Sublimiar do Transistor SOI MOSFET", V. Sonnenberg e J. A. Martino, II Seminário Brasileiro de Caracterização em Microeletrônica - 07 e 08 de Dezembro / 1995, LAC-UFPR/COPEL, Curitiba / PR
  21. "Programa Didático para o Estudo de Capacitores MOS na Caracterização de Processos", G. W. F. Kimura,V. Sonnenberg e J. A. Martino, II Seminário Brasileiro de Caracterização em Microeletrônica - 07 e 08 de Dezembro / 1995, LAC-UFPR/COPEL, Curitiba / PR
  22. "Métodos de Extração do Comprimento Efetivo de Canal e da Resistência Série em Transistores MOSFETs", A. S. Nicolett e J. A. Martino, II Seminário Brasileiro de Caracterização em Microeletrônica - 07 e 08 de Dezembro / 1995, LAC-UFPR/COPEL, Curitiba / PR
  23. “Análise da rugosidade superficial por espalhamento de luz LASER de lâminas de silicio após diferentes processos de oxidação térmica”, J.C. de Souza Filho, S.G. dos Santos Filho, C.M. Hasenack, XIV Congresso de Iniciacao Cientifica e Tecnologica em Engenharia CICTE-95- Sao Carlos 1995.
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