Ce travail de doctorat fait partie d'un projet de coopération franco-brésilien inter-universitaire tant au niveau de la recherche que de l'enseignement entre le COFECUB (Comité Français d'Evaluation de la Coopération Universitaire avec le Brésil), et la CAPES (Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior).

Les écrans à cristaux liquides à matrice active constituent l'application la plus importante concernant les transistors en couches minces. Actuellement, chaque élément d'image (pixel) est commandé par un transistor, et l'électronique d'adressage est réalisée à partir de transistors en silicium monocristallin. Ces derniers ne peuvent donc pas être réalisés sur le substrat de verre et nécessitent donc d'être placés en périphérie du circuit.

Le développement d'une technologie TCM-CMOS à basse température ayant pour but d'intégrer sur le même substrat les transistors de pixels ainsi que l'électronique de commande peut alors permettre de diminuer la taille, le poids, la consommation et par conséquent le coût du dispositif obtenu.

Dans cette optique, l'objectif principal de cette étude est la réalisation d'un process basse température (<600°C) permettant d'obtenir des transistors en couches minces de silicium polycristallin de type P et N sur le même substrat afin de l'adapter à la fabrication de dispositifs CMOS.

Les étapes de fabrication les plus importantes sont le dépôt de silicium non dopé et dopé (au phosphore et au bore) par LPCVD, et le dépôt d'oxyde de silicium par PECVD, avec TEOS comme source de silicium. La couche de silicium non dopé constitue alors la couche active des transistors, les couches dopés le drain et la source, et enfin l'oxyde de silicium l'isolant de grille.