La réalisation des TCMs du type N et P sur le même substrat, la simulation numérique des circuits sera réalisée pour déterminer la taille des TCMs conduisant à un fonctionnement optimal des circuits CMOS, afin de dimensionner les masques lithographiques. Après, l'obtention des propriétés électriques des circuits TCM-CMOS au GMV, et tenant compte des résultats favorables de l'étape de caractérisation du réacteur HDPECVD, la suite consistera à fabriquer des circuits TCM-CMOS avec l'oxyde de silicium à base de TEOS.