[1] C. E. Viana, A. N. R. Silva, N. I. Morimoto, "Argon flow Effects in the PETEOS Silicon Oxide Thin Films Deposition". In: XIV ICMP99, São Paulo, 1999.

[2] C. E. Viana, N. I. Morimoto, O. Bonnaud, "Annealing Effects in the PECVD SiO2 Thin Films Deposited Using TEOS, Ar and O2 Mixture". Microelectronics and Reliability, n.40. p.613-6, 2000.

[3] K. Mourgues, Réalisation de transistors en couches minces de silicium polycristallin par des procèdes basse température (<600°C) sans étape d'hydrogénation, thèse à Univ. R 1, 1999.

Note : Cette thèse est prépare en cotoutelle sous la direction de N. I. MORIMOTO (LSI) et O. BONNAUD (GMV).