Dans le projet de coopération franco-brésilien COFECUB/CAPES, l'objectif principal est la réalisation d'un process basse température visant à obtenir des transistors en couches minces de silicium polycristallin de type P et N sur le même substrat et vers une intégration dans des dispositifs CMOS. Les principales propriétés des oxydes de silicium, des transistors en couches minces (TCMs) ainsi que les séquences de masquage pour obtenir des circuits CMOS sont présentés. L'autre but de cette étude est d'utiliser l'oxyde de silicium obtenu par HDPECVD-TEOS (tetraethylorthosilicate) comme oxyde de grille des TCMs.