Le dépôt d'oxyde de silicium est réalisé par PECVD à partir du gaz TEOS - Si(OC2H5)4 réagissant avec de l'oxygène dans un plasma RF d'argon à basse température.

Figure 1 : Evolution de la vitesse de gravure humide et de la vitesse de dépôt des couches d'oxyde de silicium en fonction du flux d'argon, avec FTEOS = 7,5 sccm, FO2 = 450 sccm, P = 1 Torr, T = 375°C et WRF = 400 W [1].

Une étude de l'influence d'un flux d'argon dans le mélange gazeux a été réalisée afin d'augmenter la vitesse de décomposition des molécules de TEOS sans augmenter la densité du plasma.

Table 1 : Courant de fuite (ILK), champ de claquage (EBD) et densité effective de charges (Qss) des capacités MOS [2].

La Figure 1 présente l'évolution de la vitesse de dépôt et de gravure humide (HF:H2O - DI 1:100) pour les couches déposées. La Table 1 donne les caractéristiques électriques de la couche obtenues à partir des courbes J =f(E) (densité de courant en fonction du champ électrique) des capacités MOS réalisées avec l'oxyde déposé pour un flux d'argon de 150 sccm.

Les performances obtenues n'étendent pas en vue des applications envisages, un nouveau réacteur devenant être plus performant est en cours de réalisation.