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Nous avons fabrique et caractérisé indépendamment des transistors
couche mince de type N et P. En utilisant les meilleures
connaissances existant du laboratoire nous avons obtenus
les résultats présentés dans la Table 2.
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Type
de TFT
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S
(V/dec)
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µFE
(cm2/V.s)
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VTH
(V)
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Monocouche N [3]
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0,7
|
100
|
1,2
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| Monocouche
P [3]
|
0,6
|
60
|
-
7,5
|
| bicouche
N [3] |
1
|
63
|
4
|
| bicouche
P |
1
|
15
|
-
9
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Table
2 : Pente sous le seuil (S), mobilité des porteurs (µFE)
et tension de seuil (VTH) des TFT's
[3].
La
suite du travail consiste à fabriquer sur le même substrat
les deux types de transistors. Nous sommes tout d'abord
attaches à la mise au point du procédé de fabrication.
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